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PID自整定步骤步：在PID向导中完成PID功能配置（要想使用PID自整定功能，PID编程必须用PID向导来完成）。第二步：打PID调节控制面板，设置PID回路调节参数；在Micro/WINSMART在线的情况下，从主菜单工具中点击“PID控制面板”工具，进入PID调节控制面板中。在PID调节面板的h.区查看已选择的PID回路号，在e.区启动手动调节，调节PID参数并点击更新，使新参数值起作用，监视其趋势图，根据调节状况改变PID参数直至调节稳定。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。1电力传动装置系统及高低压各型关调试时，应将有关的关手柄取下或锁上，悬挂示牌，防止误合闸。1用摇表测定绝缘电阻，应防止有人触及正在测定中的线路或设备。测定容性或感性设备、材料后，必须放电。雷电时禁止测定线路绝缘。1电流互感器禁止路，电压互感器禁止短路和以升压方式运行。电气设备、材料需放电时，应穿戴绝缘防护用品，用绝缘棒安全放电。1现场变配电高压设备，不论带电与否，单人值班不准超越遮栏和从事修理工作。当功能块FB1在组织块中被调用时，使用了与FB1相关联的背景数据块。这样FB1有几次调用，就必须配套相应数量的背景数据块。当FB1的调用次数较多时，就会占用更多的数据块。使用多重背景数据块可以有效地减少数据块的数量，其编程思路是创建一个比FB1级别更高的功能块，如FB10，对于FB1的每一次调用，都将数据存储在FB10的背景数据块中。这样就不需要为FB1分配任何背景数据块。下面以发动机组控制系统为例，介绍如何编辑和使用多重背景数据块。